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Descrizione
SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE (PCT PROCESS)
Collector Base Voltage VCBO 35 V
Collector Emitter Voltage VCEO 30 V
Emitter Base Voltage VEBO 5 V
Collector Current IC 500 mA
Emitter Current IE -500 mA
Power Dissipation Ptot 625 mW
Junction Temperature Tj 150 °
Storage Temperature Range TS -55 to +150 °